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硅表面生長納米激光器技術問世

發(fā)布時間:2011-02-18 作者: 來源: 瀏覽:297670

      據美國物理學家組織網近日報道,美國加利福尼亞大學伯克利分??茖W家利用新技術直接在硅表面生長出了極微小的納米柱,形成一種亞波長激光器,這一成果將為制造納米光學設備如激光器、光源檢測儀、調制器、太陽能電池等帶來新的突破。
  加利福尼亞大學伯克利分校的研究人員通過金屬?有機化學蒸發(fā)沉積的方法,在400攝氏度條件下,用一種III-V族材料銦鎵砷在硅表面生長出納米柱。這種納米柱有著獨特的六角形晶體結構,能將光線控制在它微小的管中,形成一種高效導控光腔。它能在室溫下產生波長約950納米的近紅外激光,光線在其中以螺旋形式上下傳播,經過光學上的相互作用而得以放大。
  加州大學伯克利分校電學工程與計算機科學教授康妮?張-哈斯南指出,這種亞波長激光器技術將對多科學領域產生廣泛影響,包括材料科學、晶體管技術、激光科學、光電子學和光物理學,促進計算機、通訊、展示和光信號處理等領域光電子學的革命。“最終,我們希望加強這些激光的特征性能,以實現光子和電子設備的結合?!?nbsp;

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